曾懿霆以「Complementary Resistive Switching Behavior Induced by Varying Forming Current Compliance in Resistance Random Access Memory」登上美國物理協會國際期刊《應用物理學快報(Applied Physics Letters)》。在次世代記憶元件,電阻式記憶體(RRAM)極有機會取代目前已面臨發展瓶頸的記憶體元件。他的研究是藉由改變崩潰限流的方式來控制電阻式記憶體之薄膜破壞程度,及利用在ZnO層中插入SiOx層之結構,使電阻式記憶體同時具有雙極性與互補式的電阻切換特性,如此將可避免記憶體操作時發生讀取誤判,解決目前電阻式記憶體在實際應用或導入量產時,所面臨的問題。
林志陽則發表「Effects of Varied Negative Stop Voltages on Current Self-compliance in Indium Tin Oxide Resistance Random Access Memory」於《電子元件期刊(IEEE Electron Device Lett.)》。一般傳統的電阻式記憶體在沒有限制元件限流下,會因為電流overshoot 而使元件崩潰。而他的研究發現ITO電極之電阻式記憶體元件具備自我限流的特性,有自我保護的功能,所以可以在不需要電晶體限流下,同時擁有非常良好的元件特性與可靠度。